2N4123 - Central Semiconductor Corp

Numero di parte	2N4123
Stato parte	Active
Transistor Type	NPN
Corrente - Collector (Ic) (Max)	200mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	30V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	300mV @ 5mA, 50mA
Corrente - Limite del collettore (max)	50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	50 @ 2mA, 10V
Potenza - Max	1.5W
Frequenza - Transizione	250MHz
temperatura di esercizio	-65°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto / caso	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Pacchetto dispositivo fornitore	TO-92
Peso	-
Paese d'origine	-

Numero di parte	Produttori	Descrizione	vista
2N0303	INFINEON	2N0303 INFINEON TO-220 New Original Stocks	Dettagli
2N03L10	INFINEON	2N03L10 INFINEON TO-251 New Original Stocks	Dettagli
2N1008	EXSHINE	alloy-junction germanium transistors	Dettagli
2N1008A	EXSHINE	alloy-junction germanium transistors	Dettagli
2N1008B	EXSHINE	alloy-junction germanium transistors	Dettagli
2N1011	EXSHINE	germanium transistors	Dettagli
2N1016B	Microsemi Corporation	NPN TRANSISTOR	Dettagli
2N1016C	Microsemi Corporation	NPN TRANSISTOR	Dettagli
2N1016D	Microsemi Corporation	NPN TRANSISTOR	Dettagli
2N1057	EXSHINE	alloy-junction germanium transistors	Dettagli