NE85639-T1-R28-A

NE85639-T1-R28-A - CEL

Artikelnummer
NE85639-T1-R28-A
Hersteller
CEL
Kurze Beschreibung
SAME AS 2SC4093 NPN SILICON AMPL
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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Kategorie
Transistoren - Bipolar (BJT) - HF
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
4061 pcs
Referenzpreis
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NE85639-T1-R28-A detaillierte Beschreibung

Artikelnummer NE85639-T1-R28-A
Teilstatus Obsolete
Transistor-Typ NPN
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 12V
Frequenz - Übergang 9GHz
Rauschzahl (dB Typ @ f) 1.1dB @ 1GHz
Gewinnen 13dB
Leistung max 200mW
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce 50 @ 20mA, 10V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 100mA
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall TO-253-4, TO-253AA
Lieferantengerätepaket SOT-143
Gewicht -
Ursprungsland -

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