| Artikelnummer | AOB29S50L |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 500V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 29A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.9V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 26.6nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1312pF @ 100V |
| Vgs (Max) | ±30V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 357W (Tc) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 150 mOhm @ 14.5A, 10V |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | TO-263 (D²Pak) |
| Paket / Fall | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Gewicht | - |
| Ursprungsland | - |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Aussicht |
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AOB10B60D | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | IGBT 600V 20A 163W TO263 | Einzelheiten |
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AOB10B65M1 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | IGBT 650V 10A TO263 | Einzelheiten |
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AOB10N60L | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH 600V 10A TO263 | Einzelheiten |
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AOB10T60PL | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH 600V 10A TO263 | Einzelheiten |
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AOB1100L | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH 100V 8A TO263 | Einzelheiten |
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AOB11C60 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH TO-263 | Einzelheiten |
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AOB11C60L | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH 600V 11A TO263 | Einzelheiten |
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AOB11N60L | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH 600V 11A TO263 | Einzelheiten |
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AOB11S60L | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH 600V 11A TO263 | Einzelheiten |
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AOB11S65L | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH 650V 11A TO263 | Einzelheiten |
