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Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln › AOB1100L
AOB1100L

AOB1100L - Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Artikelnummer
AOB1100L
Hersteller
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 8A TO263
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
AOB1100L PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
AOB1100L.pdf
Kategorie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
14422 pcs
Referenzpreis
USD 1.7606/pcs
Unser Preis
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AOB1100L detaillierte Beschreibung

Artikelnummer AOB1100L
Teilstatus Active
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 100V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 8A (Ta), 130A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3.8V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 100nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 4833pF @ 25V
Vgs (Max) ±20V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 2.1W (Ta), 500W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 11.7 mOhm @ 20A, 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Lieferantengerätepaket TO-263 (D²Pak)
Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Gewicht -
Ursprungsland -

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Bild Artikelnummer Hersteller Beschreibung Aussicht
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