• русский
      Language Translation
    • English
    • Deutschl
    • Italia
    • France
    • España
    • 대한민국
    • 日本语
    • русский
Главная › Категории продукта › Дискретный полупроводник › Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - РФ › PTFB210801FA-V1-R250
PTFB210801FA-V1-R250

PTFB210801FA-V1-R250 - Cree/Wolfspeed

номер части
PTFB210801FA-V1-R250
производитель
Cree/Wolfspeed
Краткое описание
FET RF LDMOS 80W H37265-2
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Онлайн-просмотр данных
PTFB210801FA-V1-R250 Просмотр PDF в Интернете
Скачать PDF-файл
-
категория
Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - РФ
Срок поставки
1 Day
Код даты
New
Количество на складе
3297 pcs
Справочная цена
USD 49.92888/pcs
Наша цена
Отправить по электронной почте: [email protected]

Пожалуйста, заполните форму ниже, чтобы запросить котировку PTFB210801FA-V1-R250

PTFB210801FA-V1-R250 Подробное описание

номер части PTFB210801FA-V1-R250
Статус детали Active
Тип транзистора LDMOS
частота 2.17GHz
Усиление 18.5dB
Напряжение - испытание 28V
Текущий рейтинг -
Коэффициент шума -
Текущий - Тест 750mA
Выходная мощность 20W
Напряжение - Номинальное напряжение 65V
Упаковка / чехол 2-Flatpack, Fin Leads, Flanged
Пакет устройств поставщика H-37265-2
Вес -
Страна происхождения -

СВЯЗАННЫЕ ПРОДУКТЫ ДЛЯ PTFB210801FA-V1-R250

Образ номер части Производители Описание Посмотреть
PTFB210801FA-V1-R0 PTFB210801FA-V1-R0 Cree/Wolfspeed IC AMP RF LDMOS H-37265-2 подробности
PTFB210801FA-V1-R250 PTFB210801FA-V1-R250 Cree/Wolfspeed FET RF LDMOS 80W H37265-2 подробности
PTFB210801FAV1R0XTMA1 PTFB210801FAV1R0XTMA1 Infineon Technologies IC AMP RF LDMOS H-37265-2 подробности
PTFB210801FAV1R250XTMA1 PTFB210801FAV1R250XTMA1 Infineon Technologies FET RF LDMOS 80W H37265-2 подробности