• русский
      Language Translation
    • English
    • Deutschl
    • Italia
    • France
    • España
    • 대한민국
    • 日本语
    • русский
Главная › Категории продукта › Дискретный полупроводник › Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - РФ › PTFB210801FAV1R0XTMA1
PTFB210801FAV1R0XTMA1

PTFB210801FAV1R0XTMA1 - Infineon Technologies

номер части
PTFB210801FAV1R0XTMA1
производитель
Infineon Technologies
Краткое описание
IC AMP RF LDMOS H-37265-2
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Онлайн-просмотр данных
PTFB210801FAV1R0XTMA1 Просмотр PDF в Интернете
Скачать PDF-файл
-
категория
Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - РФ
Срок поставки
1 Day
Код даты
New
Количество на складе
534 pcs
Справочная цена
USD 50.8872/pcs
Наша цена
Отправить по электронной почте: [email protected]

Пожалуйста, заполните форму ниже, чтобы запросить котировку PTFB210801FAV1R0XTMA1

PTFB210801FAV1R0XTMA1 Подробное описание

номер части PTFB210801FAV1R0XTMA1
Статус детали Active
Тип транзистора LDMOS
частота 2.17GHz
Усиление 18.5dB
Напряжение - испытание 28V
Текущий рейтинг -
Коэффициент шума -
Текущий - Тест 750mA
Выходная мощность 20W
Напряжение - Номинальное напряжение 65V
Упаковка / чехол H-37248-2
Пакет устройств поставщика H-37265-2
Вес -
Страна происхождения -

СВЯЗАННЫЕ ПРОДУКТЫ ДЛЯ PTFB210801FAV1R0XTMA1

Образ номер части Производители Описание Посмотреть
PTFB210801FA-V1-R0 PTFB210801FA-V1-R0 Cree/Wolfspeed IC AMP RF LDMOS H-37265-2 подробности
PTFB210801FA-V1-R250 PTFB210801FA-V1-R250 Cree/Wolfspeed FET RF LDMOS 80W H37265-2 подробности
PTFB210801FAV1R0XTMA1 PTFB210801FAV1R0XTMA1 Infineon Technologies IC AMP RF LDMOS H-37265-2 подробности
PTFB210801FAV1R250XTMA1 PTFB210801FAV1R250XTMA1 Infineon Technologies FET RF LDMOS 80W H37265-2 подробности