BYV29FD-600,118 - WeEn Semiconductors

номер части	BYV29FD-600,118
Статус детали	Active
Тип диода	Standard
Напряжение - Реверс постоянного тока (Vr) (макс.)	600V
Текущий - средний отрегулированный (Io)	9A
Напряжение - Вперед (Vf) (Макс.) @ Если	1.9V @ 8A
скорость	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Время обратного восстановления (trr)	35ns
Текущий - обратный утечек @ Vr	50µA @ 600V
Емкость @ Vr, F	-
Тип монтажа	Surface Mount
Упаковка / чехол	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Пакет устройств поставщика	DPAK
Рабочая температура - Соединение	150°C (Max)
Вес	-
Страна происхождения	-

номер части	Производители	Описание	Посмотреть
BYV29-300-E3/45	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GEN PURP 300V 8A TO220AC	подробности
BYV29-300HE3/45	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GEN PURP 300V 8A TO220AC	подробности
BYV29-300M	SEME-LAB	HERMETICALLY SEALED FAST RECOVERY SILICON RECTIFIER FOR HI.REL APPLICATIONS	подробности
BYV29-400	NXP	BYV29-400 NXP TO-220.. New Original Stocks	подробности
BYV29-400,127	WeEn Semiconductors	DIODE GEN PURP 400V 9A TO220AC	подробности
BYV29-400-E3/45	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GEN PURP 400V 8A TO220AC	подробности
BYV29-400HE3/45	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GEN PURP 400V 8A TO220AC	подробности
BYV29-400M	SEME-LAB	HERMETICALLY SEALED FAST RECOVERY SILICON RECTIFIER FOR HI.REL APPLICATIONS	подробности
BYV29-500	PHI	BYV29-500 PHI TO-220.. New Original Stocks	подробности
BYV29-500,127	WeEn Semiconductors	DIODE GEN PURP 500V 9A TO220AC	подробности