BYV29FD-600,118 - WeEn Semiconductors

Artikelnummer	BYV29FD-600,118
Teilstatus	Active
Dioden-Typ	Standard
Spannung - DC Reverse (Vr) (Max)	600V
Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io)	9A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If	1.9V @ 8A
Geschwindigkeit	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Wiederherstellungszeit (trr)	35ns
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr	50µA @ 600V
Kapazität @ Vr, F	-
Befestigungsart	Surface Mount
Paket / Fall	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Lieferantengerätepaket	DPAK
Betriebstemperatur - Kreuzung	150°C (Max)
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
BYV29-300-E3/45	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GEN PURP 300V 8A TO220AC	Einzelheiten
BYV29-300HE3/45	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GEN PURP 300V 8A TO220AC	Einzelheiten
BYV29-300M	SEME-LAB	HERMETICALLY SEALED FAST RECOVERY SILICON RECTIFIER FOR HI.REL APPLICATIONS	Einzelheiten
BYV29-400	NXP	BYV29-400 NXP TO-220.. New Original Stocks	Einzelheiten
BYV29-400,127	WeEn Semiconductors	DIODE GEN PURP 400V 9A TO220AC	Einzelheiten
BYV29-400-E3/45	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GEN PURP 400V 8A TO220AC	Einzelheiten
BYV29-400HE3/45	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GEN PURP 400V 8A TO220AC	Einzelheiten
BYV29-400M	SEME-LAB	HERMETICALLY SEALED FAST RECOVERY SILICON RECTIFIER FOR HI.REL APPLICATIONS	Einzelheiten
BYV29-500	PHI	BYV29-500 PHI TO-220.. New Original Stocks	Einzelheiten
BYV29-500,127	WeEn Semiconductors	DIODE GEN PURP 500V 9A TO220AC	Einzelheiten