| номер части | VS-6ESH01HM3/86A |
|---|---|
| Статус детали | Active |
| Тип диода | Standard |
| Напряжение - Реверс постоянного тока (Vr) (макс.) | 100V |
| Текущий - средний отрегулированный (Io) | 6A |
| Напряжение - Вперед (Vf) (Макс.) @ Если | 940mV @ 6A |
| скорость | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Время обратного восстановления (trr) | 22ns |
| Текущий - обратный утечек @ Vr | 2µA @ 100V |
| Емкость @ Vr, F | - |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Упаковка / чехол | TO-277, 3-PowerDFN |
| Пакет устройств поставщика | TO-277A (SMPC) |
| Рабочая температура - Соединение | -60°C ~ 175°C |
| Вес | - |
| Страна происхождения | - |
| Образ | номер части | Производители | Описание | Посмотреть |
|---|---|---|---|---|
|
VS-6ESH01-M3/86A | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE 100V 6A TO277A | подробности |
|
VS-6ESH01-M3/87A | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 100V 6A TO277A | подробности |
|
VS-6ESH01HM3/86A | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE 100V 6A TO277A | подробности |
|
VS-6ESH01HM3/87A | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 100V 6A TO277A | подробности |
|
VS-6ESH02-M3/86A | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE 200V 6A TO277A | подробности |
|
VS-6ESH02-M3/87A | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 200V 6A TO277A | подробности |
|
VS-6ESH02HM3/86A | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE 200V 6A TO277A | подробности |
|
VS-6ESH02HM3/87A | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 200V 6A TO277A | подробности |
|
VS-6ESH06-M3/86A | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE 600V 6A TO277A | подробности |
|
VS-6ESH06-M3/87A | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 600V 6A TO277A | подробности |
