| Numéro d'article | VS-6ESH01HM3/86A |
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| État de la pièce | Active |
| Type de diode | Standard |
| Tension - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
| Courant - Rectifié moyen (Io) | 6A |
| Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si | 940mV @ 6A |
| La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Temps de récupération inverse (trr) | 22ns |
| Courant - Fuite inverse @ Vr | 2µA @ 100V |
| Capacitance @ Vr, F | - |
| Type de montage | Surface Mount |
| Paquet / cas | TO-277, 3-PowerDFN |
| Package de périphérique fournisseur | TO-277A (SMPC) |
| Température de fonctionnement - Jonction | -60°C ~ 175°C |
| Poids | - |
| Pays d'origine | - |
| Image | Numéro d'article | Les fabricants | La description | Vue |
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VS-6ESH01-M3/86A | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE 100V 6A TO277A | Détails |
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VS-6ESH01-M3/87A | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 100V 6A TO277A | Détails |
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VS-6ESH01HM3/86A | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE 100V 6A TO277A | Détails |
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VS-6ESH01HM3/87A | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 100V 6A TO277A | Détails |
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VS-6ESH02-M3/86A | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE 200V 6A TO277A | Détails |
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VS-6ESH02-M3/87A | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 200V 6A TO277A | Détails |
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VS-6ESH02HM3/86A | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE 200V 6A TO277A | Détails |
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VS-6ESH02HM3/87A | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 200V 6A TO277A | Détails |
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VS-6ESH06-M3/86A | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE 600V 6A TO277A | Détails |
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VS-6ESH06-M3/87A | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 600V 6A TO277A | Détails |
