VS-40MT120UHAPBF - Vishay Semiconductor Diodes Division

номер части	VS-40MT120UHAPBF
Статус детали	Active
Тип IGBT	NPT
конфигурация	Half Bridge
Напряжение - Разрыв эмиттера коллектора (макс.)	1200V
Ток - коллектор (Ic) (макс.)	80A
Мощность - макс.	463W
Vce (вкл.) (Макс.) @ Vge, Ic	4.91V @ 15V, 80A
Ток - отсечка коллектора (макс.)	250µA
Входная емкость (Cies) @ Vce	8.28nF @ 30V
вход	Standard
Термистор NTC	No
Рабочая Температура	-40°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа	Chassis Mount
Упаковка / чехол	12-MTP Module
Пакет устройств поставщика	MTP
Вес	-
Страна происхождения	-

номер части	Производители	Описание	Посмотреть
VS-40MT120UHAPBF	Vishay Semiconductor Diodes Division	IGBT 1200V 80A 463W MTP	подробности
VS-40MT120UHTAPBF	Vishay Semiconductor Diodes Division	IGBT 1200V 80A 463W MTP	подробности
VS-40MT160KPBF	Vishay Semiconductor Diodes Division	MOD BRIDGE 3PHASE MTP	подробности
VS-40MT160P-P	Vishay Semiconductor Diodes Division	MOD BRIDGE 3PH 45A 1600V MTP	подробности
VS-40MT160PAPBF	Vishay Semiconductor Diodes Division	MOD BRIDGE 3PHASE MTP	подробности
VS-40MT160PBPBF	Vishay Semiconductor Diodes Division	MOD 3PH BRIDGE 1600V MTP	подробности