VS-40MT120UHAPBF - Vishay Semiconductor Diodes Division

Numéro d'article	VS-40MT120UHAPBF
État de la pièce	Active
Type d'IGBT	NPT
Configuration	Half Bridge
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max)	1200V
Courant - Collecteur (Ic) (Max)	80A
Puissance - Max	463W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic	4.91V @ 15V, 80A
Courant - Coupure du collecteur (Max)	250µA
Capacitance d'entrée (Cies) @ Vce	8.28nF @ 30V
Contribution	Standard
Thermistance NTC	No
Température de fonctionnement	-40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Chassis Mount
Paquet / cas	12-MTP Module
Package de périphérique fournisseur	MTP
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
VS-40MT120UHAPBF	Vishay Semiconductor Diodes Division	IGBT 1200V 80A 463W MTP	Détails
VS-40MT120UHTAPBF	Vishay Semiconductor Diodes Division	IGBT 1200V 80A 463W MTP	Détails
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