| номер части | VS-1KAB100E |
|---|---|
| Статус детали | Active |
| Тип диода | Single Phase |
| Технологии | Standard |
| Напряжение - Реверс пика (макс.) | 1000V |
| Текущий - средний отрегулированный (Io) | 1.2A |
| Напряжение - Вперед (Vf) (Макс.) @ Если | 1.1V @ 1.2A |
| Текущий - обратный утечек @ Vr | 10µA @ 1000V |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Упаковка / чехол | 4-Square, D-38 |
| Пакет устройств поставщика | D-38 |
| Вес | - |
| Страна происхождения | - |
| Образ | номер части | Производители | Описание | Посмотреть |
|---|---|---|---|---|
 |
VS-100BGQ015HF4 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE SCHOTTKY 15V 100A POWERTAB | подробности |
 |
VS-100BGQ030 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE SCHOTTKY 30V 100A POWIRTAB | подробности |
|
VS-100BGQ030HF4 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE SCHOTTKY 30V 100A POWERTAB | подробности |
|
VS-100BGQ045 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE SCHOTTKY 45V 100A POWIRTAB | подробности |
|
VS-100BGQ045HF4 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE SCHOTTKY 45V 100A POWERTAB | подробности |
|
VS-100BGQ100 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE SCHOTTKY 100V 100A POWIRTA | подробности |
|
VS-100BGQ100HF4 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE SCHOTTKY 30V 100A POWERTAB | подробности |
 |
VS-100MT060WDF | Vishay Semiconductor Diodes Division | IGBT 600V 121A 462W MTP | подробности |
|
VS-100MT060WSP | Vishay Semiconductor Diodes Division | IGBT | подробности |
 |
VS-100MT160P-P | Vishay Semiconductor Diodes Division | MOD BRIDGE 3PH 100A 1600V MTP | подробности |
