SQS415ENW-T1_GE3 - Vishay Siliconix

номер части	SQS415ENW-T1_GE3
Статус детали	Active
Тип полевого транзистора	P-Channel
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss)	40V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C	16A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs	16.1 mOhm @ 12A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	82nC @ 10V
Vgs (Макс.)	±20V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds	4825pF @ 25V
Функция FET	-
Рассеиваемая мощность (макс.)	62.5W (Tc)
Рабочая Температура	-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажа	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	PowerPAK® 1212-8W
Упаковка / чехол	PowerPAK® 1212-8W
Вес	-
Страна происхождения	-