| 品番 | SQS415ENW-T1_GE3 |
|---|---|
| 部品ステータス | Active |
| FETタイプ | P-Channel |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 40V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 16A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 16.1 mOhm @ 12A, 10V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 2.5V @ 250µA |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | 82nC @ 10V |
| Vgs（最大） | ±20V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 4825pF @ 25V |
| FET機能 | - |
| 消費電力（最大） | 62.5W (Tc) |
| 動作温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| サプライヤデバイスパッケージ | PowerPAK® 1212-8W |
| パッケージ/ケース | PowerPAK® 1212-8W |
| 重量 | - |
| 原産国 | - |
| 画像 | 品番 | メーカー | 説明 | 見る |
|---|---|---|---|---|
|
SQS415ENW-T1_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 40V PPAK 1212-8W | 詳細 |
