SQ2309ES-T1_GE3

SQ2309ES-T1_GE3 - Vishay Siliconix

номер части
SQ2309ES-T1_GE3
производитель
Vishay Siliconix
Краткое описание
MOSFET P-CHAN 60V SOT23
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Онлайн-просмотр данных
SQ2309ES-T1_GE3 Просмотр PDF в Интернете
Скачать PDF-файл
-
категория
Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные
Срок поставки
1 Day
Код даты
New
Количество на складе
128409 pcs
Справочная цена
USD 0.2046/pcs
Наша цена
Отправить по электронной почте: [email protected]

Пожалуйста, заполните форму ниже, чтобы запросить котировку SQ2309ES-T1_GE3

SQ2309ES-T1_GE3 Подробное описание

номер части SQ2309ES-T1_GE3
Статус детали Active
Тип полевого транзистора P-Channel
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) 60V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 1.7A (Tc)
Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.) 4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 8.5nC @ 10V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds 265pF @ 25V
Vgs (Макс.) ±20V
Функция FET -
Рассеиваемая мощность (макс.) 2W (Tc)
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs 336 mOhm @ 3.8A, 10V
Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажа Surface Mount
Пакет устройств поставщика TO-236 (SOT-23)
Упаковка / чехол TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Вес -
Страна происхождения -

СВЯЗАННЫЕ ПРОДУКТЫ ДЛЯ SQ2309ES-T1_GE3