SISA18DN-T1-GE3

SISA18DN-T1-GE3 - Vishay Siliconix

номер части
SISA18DN-T1-GE3
производитель
Vishay Siliconix
Краткое описание
MOSFET N-CH 30V 38.3A 1212-8
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Онлайн-просмотр данных
SISA18DN-T1-GE3 Просмотр PDF в Интернете
Скачать PDF-файл
SISA18DN-T1-GE3.pdf
категория
Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные
Срок поставки
1 Day
Код даты
New
Количество на складе
4164 pcs
Справочная цена
USD 0/pcs
Наша цена
Отправить по электронной почте: [email protected]

Пожалуйста, заполните форму ниже, чтобы запросить котировку SISA18DN-T1-GE3

SISA18DN-T1-GE3 Подробное описание

номер части SISA18DN-T1-GE3
Статус детали Discontinued at Digi-Key
Тип полевого транзистора N-Channel
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) 30V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 38.3A (Tc)
Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.) 4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 21.5nC @ 10V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds 1000pF @ 15V
Vgs (Макс.) +20V, -16V
Функция FET -
Рассеиваемая мощность (макс.) 3.2W (Ta), 19.8W (Tc)
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs 7.5 mOhm @ 10A, 10V
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа Surface Mount
Пакет устройств поставщика PowerPAK® 1212-8
Упаковка / чехол PowerPAK® 1212-8
Вес -
Страна происхождения -

СВЯЗАННЫЕ ПРОДУКТЫ ДЛЯ SISA18DN-T1-GE3