SISA18DN-T1-GE3

SISA18DN-T1-GE3 - Vishay Siliconix

Numéro d'article
SISA18DN-T1-GE3
Fabricant
Vishay Siliconix
Brève description
MOSFET N-CH 30V 38.3A 1212-8
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique vue en ligne
SISA18DN-T1-GE3 Navigation PDF en ligne
Fiche technique PDF Download
SISA18DN-T1-GE3.pdf
Catégorie
Transistors - FET, MOSFET - Simples
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
3708 pcs
Prix ​​de référence
USD 0/pcs
Notre prix
Envoyer par email: [email protected]

Veuillez remplir le formulaire ci-dessous pour demander un devis pour SISA18DN-T1-GE3

SISA18DN-T1-GE3 Description détaillée

Numéro d'article SISA18DN-T1-GE3
État de la pièce Discontinued at Digi-Key
FET Type N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 30V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 38.3A (Tc)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 21.5nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1000pF @ 15V
Vgs (Max) +20V, -16V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 3.2W (Ta), 19.8W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.5 mOhm @ 10A, 10V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package de périphérique fournisseur PowerPAK® 1212-8
Paquet / cas PowerPAK® 1212-8
Poids -
Pays d'origine -

PRODUITS CONNEXES POUR SISA18DN-T1-GE3