SIRA50ADP-T1-RE3 - Vishay Siliconix

номер части	SIRA50ADP-T1-RE3
Статус детали	Active
Тип полевого транзистора	N-Channel
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss)	40V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C	54.8A (Ta), 219A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs	1.04 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.2V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	150nC @ 10V
Vgs (Макс.)	+20V, -16V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds	7300pF @ 20V
Функция FET	-
Рассеиваемая мощность (макс.)	6.25W (Ta), 100W (Tc)
Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	PowerPAK® SO-8
Упаковка / чехол	PowerPAK® SO-8
Вес	-
Страна происхождения	-

Образ	номер части	Производители	Описание	Посмотреть
	SIRA50ADP-T1-RE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CHAN 40V PPAK SO-8	подробности
	SIRA50DP-T1-RE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 40V PWRPAK SO-8	подробности