SIR876ADP-T1-GE3 - Vishay Siliconix

номер части	SIR876ADP-T1-GE3
Статус детали	Active
Тип полевого транзистора	N-Channel
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss)	100V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C	40A (Tc)
Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.)	4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.8V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	49nC @ 10V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds	1630pF @ 50V
Vgs (Макс.)	±20V
Функция FET	-
Рассеиваемая мощность (макс.)	5W (Ta), 62.5W (Tc)
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs	10.8 mOhm @ 20A, 10V
Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	PowerPAK® SO-8
Упаковка / чехол	PowerPAK® SO-8
Вес	-
Страна происхождения	-

Образ	номер части	Производители	Описание	Посмотреть
	SIR876ADP-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 100V 40A PPAK SO-8	подробности
	SIR876DP-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 100V 40A PPAK SO-8	подробности