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SIR876ADP-T1-GE3

SIR876ADP-T1-GE3 - Vishay Siliconix

品番: SIR876ADP-T1-GE3
メーカー: Vishay Siliconix
簡単な説明: MOSFET N-CH 100V 40A PPAK SO-8
鉛フリーステータス/ RoHSステータス: 鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー: SIR876ADP-T1-GE3 PDFオンラインブラウジング
データシートPDFダウンロード: SIR876ADP-T1-GE3.pdf
カテゴリー: トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
納期: 1 Day
日付コード: New
在庫数量: 33495 pcs
参考価格: USD 0.8019/pcs
私達の価格: メールで送信：[email protected]

SIR876ADP-T1-GE3 詳細な説明

品番	SIR876ADP-T1-GE3
部品ステータス	Active
FETタイプ	N-Channel
技術	MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧（Vdss）	100V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）	40A (Tc)
駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン）	4.5V, 10V
Vgs（th）（Max）@ Id	2.8V @ 250µA
ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs	49nC @ 10V
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds	1630pF @ 50V
Vgs（最大）	±20V
FET機能	-
消費電力（最大）	5W (Ta), 62.5W (Tc)
Rds On（Max）@ Id、Vgs	10.8 mOhm @ 20A, 10V
動作温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ	Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ	PowerPAK® SO-8
パッケージ/ケース	PowerPAK® SO-8
重量	-
原産国	-

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