SIR826BDP-T1-RE3 - Vishay Siliconix

номер части	SIR826BDP-T1-RE3
Статус детали	Active
Тип полевого транзистора	N-Channel
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss)	80V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C	19.8A (Ta), 80.8A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	7.5V, 10V
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs	5.1 mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.8V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	69nC @ 10V
Vgs (Макс.)	±20V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds	3030pF @ 40V
Функция FET	-
Рассеиваемая мощность (макс.)	5W (Ta), 83W (Tc)
Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	PowerPAK® SO-8
Упаковка / чехол	PowerPAK® SO-8
Вес	-
Страна происхождения	-

номер части	Производители	Описание	Посмотреть
SIR826ADP-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8	подробности
SIR826BDP-T1-RE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 80V PPAK SO-8	подробности
SIR826DP-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8	подробности
SIR826DP-T1-RE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 80V 60A POWERPAKSO-8	подробности