SIR826BDP-T1-RE3 - Vishay Siliconix

Numéro d'article	SIR826BDP-T1-RE3
État de la pièce	Active
FET Type	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss)	80V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C	19.8A (Ta), 80.8A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	7.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	5.1 mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.8V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	69nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	3030pF @ 40V
FET Caractéristique	-
Dissipation de puissance (Max)	5W (Ta), 83W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package de périphérique fournisseur	PowerPAK® SO-8
Paquet / cas	PowerPAK® SO-8
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
SIR826ADP-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8	Détails
SIR826BDP-T1-RE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 80V PPAK SO-8	Détails
SIR826DP-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8	Détails
SIR826DP-T1-RE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 80V 60A POWERPAKSO-8	Détails