SIHFR1N60ATR-GE3 Подробное описание
номер части |
SIHFR1N60ATR-GE3 |
Статус детали |
Active |
Тип полевого транзистора |
N-Channel |
Технологии |
MOSFET (Metal Oxide) |
Слив к источнику напряжения (Vdss) |
600V |
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C |
1.4A (Tc) |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) |
10V |
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs |
7 Ohm @ 840mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id |
4V @ 250µA |
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs |
14nC @ 10V |
Vgs (Макс.) |
±30V |
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds |
229pF @ 25V |
Функция FET |
- |
Рассеиваемая мощность (макс.) |
36W (Tc) |
Рабочая Температура |
-55°C ~ 150°C (TJ) |
Тип монтажа |
Surface Mount |
Пакет устройств поставщика |
D-PAK (TO-252AA) |
Упаковка / чехол |
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Вес |
- |
Страна происхождения |
- |
СВЯЗАННЫЕ ПРОДУКТЫ ДЛЯ SIHFR1N60ATR-GE3