SIHFR1N60ATR-GE3 - Vishay Siliconix

номер части	SIHFR1N60ATR-GE3
Статус детали	Active
Тип полевого транзистора	N-Channel
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss)	600V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C	1.4A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs	7 Ohm @ 840mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	14nC @ 10V
Vgs (Макс.)	±30V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds	229pF @ 25V
Функция FET	-
Рассеиваемая мощность (макс.)	36W (Tc)
Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	D-PAK (TO-252AA)
Упаковка / чехол	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Вес	-
Страна происхождения	-

номер части	Производители	Описание	Посмотреть
SiHFR110	VISHAY	Power MOSFET	подробности
SIHFR110TL-E3	VIS	SIHFR110TL-E3 VIS TO252 .. New Original Stocks	подробности
SIHFR120	VIS	SIHFR120 VIS DPAK New Original Stocks	подробности
SiHFR1N60A	VISHAY	Power MOSFET	подробности
SIHFR1N60A-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 600V 1.4A TO252AA	подробности
SIHFR1N60ATR-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 600V 1.4A TO252AA	подробности