SIHB33N60EF-GE3

SIHB33N60EF-GE3 - Vishay Siliconix

номер части
SIHB33N60EF-GE3
производитель
Vishay Siliconix
Краткое описание
MOSFET N-CH 600V 33A TO-263
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Онлайн-просмотр данных
SIHB33N60EF-GE3 Просмотр PDF в Интернете
Скачать PDF-файл
-
категория
Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные
Срок поставки
1 Day
Код даты
New
Количество на складе
6545 pcs
Справочная цена
USD 6.81/pcs
Наша цена
Отправить по электронной почте: [email protected]

Пожалуйста, заполните форму ниже, чтобы запросить котировку SIHB33N60EF-GE3

SIHB33N60EF-GE3 Подробное описание

номер части SIHB33N60EF-GE3
Статус детали Active
Тип полевого транзистора N-Channel
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) 600V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 33A (Tc)
Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 155nC @ 10V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds 3454pF @ 100V
Vgs (Макс.) ±30V
Функция FET -
Рассеиваемая мощность (макс.) 278W (Tc)
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs 98 mOhm @ 16.5A, 10V
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа Surface Mount
Пакет устройств поставщика D²PAK (TO-263)
Упаковка / чехол TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Вес -
Страна происхождения -

СВЯЗАННЫЕ ПРОДУКТЫ ДЛЯ SIHB33N60EF-GE3