SIHB33N60EF-GE3

SIHB33N60EF-GE3 - Vishay Siliconix

부품 번호
SIHB33N60EF-GE3
제조사
Vishay Siliconix
간단한 설명
MOSFET N-CH 600V 33A TO-263
무연 여부 / RoHS 준수 여부
무연 / RoHS 준수
온라인 데이터 시트
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범주
트랜지스터 - FET, MOSFET - 단일
배달 시간
1 Day
날짜 코드
New
재고 수량
6545 pcs
참고 가격
USD 6.81/pcs
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SIHB33N60EF-GE3 상세 설명

부품 번호 SIHB33N60EF-GE3
부품 상태 Active
FET 유형 N-Channel
과학 기술 MOSFET (Metal Oxide)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) 600V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 33A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V
Vgs (th) (최대) @ Id 4V @ 250µA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs 155nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 3454pF @ 100V
Vgs (최대) ±30V
FET 기능 -
전력 발산 (최대) 278W (Tc)
Rds On (최대) @ Id, Vgs 98 mOhm @ 16.5A, 10V
작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형 Surface Mount
공급 업체 장치 패키지 D²PAK (TO-263)
패키지 / 케이스 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
무게 -
원산지 -

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