| номер части | SIHB22N60E-E3 |
|---|---|
| Статус детали | Active |
| Тип полевого транзистора | N-Channel |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Слив к источнику напряжения (Vdss) | 600V |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 21A (Tc) |
| Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 86nC @ 10V |
| Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | 1920pF @ 100V |
| Vgs (Макс.) | ±30V |
| Функция FET | - |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 227W (Tc) |
| Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | 180 mOhm @ 11A, 10V |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Пакет устройств поставщика | D2PAK |
| Упаковка / чехол | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Вес | - |
| Страна происхождения | - |
| Образ | номер части | Производители | Описание | Посмотреть |
|---|---|---|---|---|
|
SIHB20N50E-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 500V 19A TO-263 | подробности |
|
SIHB21N60EF-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK TO263 | подробности |
|
SIHB21N65EF-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 650V 21A D2PAK | подробности |
|
SIHB22N60AE-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 600V 20A TO263 | подробности |
 |
SIHB22N60AEL-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CHAN 600V | подробности |
|
SIHB22N60E-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK | подробности |
|
SIHB22N60E-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK | подробности |
|
SIHB22N60EL-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 600V 21A TO263 | подробности |
|
SIHB22N60ET1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 600V 21A TO263 | подробности |
|
SIHB22N60ET5-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 600V 21A TO263 | подробности |
