SIHB22N60AEL-GE3 - Vishay Siliconix

номер части	SIHB22N60AEL-GE3
Статус детали	Active
Тип полевого транзистора	N-Channel
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss)	600V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C	21A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs	180 mOhm @ 11A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	82nC @ 10V
Vgs (Макс.)	±30V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds	1757pF @ 100V
Функция FET	-
Рассеиваемая мощность (макс.)	208W (Tc)
Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	D²PAK (TO-263)
Упаковка / чехол	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Вес	-
Страна происхождения	-

номер части	Производители	Описание	Посмотреть
SIHB22N60AE-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 600V 20A TO263	подробности
SIHB22N60AEL-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CHAN 600V	подробности
SIHB22N60E-E3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK	подробности
SIHB22N60E-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK	подробности
SIHB22N60EL-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 600V 21A TO263	подробности
SIHB22N60ET1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 600V 21A TO263	подробности
SIHB22N60ET5-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 600V 21A TO263	подробности
SIHB22N60S-E3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 600V 22A D2PAK	подробности
SIHB22N60S-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 650V TO263	подробности
SIHB22N65E-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 650V 22A D2PAK	подробности