SIA419DJ-T1-GE3 Подробное описание
номер части |
SIA419DJ-T1-GE3 |
Статус детали |
Obsolete |
Тип полевого транзистора |
P-Channel |
Технологии |
MOSFET (Metal Oxide) |
Слив к источнику напряжения (Vdss) |
20V |
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C |
12A (Tc) |
Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.) |
1.2V, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id |
850mV @ 250µA |
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs |
29nC @ 5V |
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds |
1500pF @ 10V |
Vgs (Макс.) |
±5V |
Функция FET |
- |
Рассеиваемая мощность (макс.) |
3.5W (Ta), 19W (Tc) |
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs |
30 mOhm @ 5.9A, 4.5V |
Рабочая Температура |
-55°C ~ 150°C (TJ) |
Тип монтажа |
Surface Mount |
Пакет устройств поставщика |
PowerPAK® SC-70-6 Single |
Упаковка / чехол |
PowerPAK® SC-70-6 |
Вес |
- |
Страна происхождения |
- |
СВЯЗАННЫЕ ПРОДУКТЫ ДЛЯ SIA419DJ-T1-GE3