| номер части | SIA411DJ-T1-E3 |
|---|---|
| Статус детали | Obsolete |
| Тип полевого транзистора | P-Channel |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Слив к источнику напряжения (Vdss) | 20V |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 12A (Tc) |
| Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.) | 1.5V, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 38nC @ 8V |
| Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | 1200pF @ 10V |
| Vgs (Макс.) | ±8V |
| Функция FET | - |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 3.5W (Ta), 19W (Tc) |
| Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | 30 mOhm @ 5.9A, 4.5V |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Пакет устройств поставщика | PowerPAK® SC-70-6 Single |
| Упаковка / чехол | PowerPAK® SC-70-6 |
| Вес | - |
| Страна происхождения | - |
| Образ | номер части | Производители | Описание | Посмотреть |
|---|---|---|---|---|
|
SIA411DJ-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 20V 12A SC70-6 | подробности |
|
SIA411DJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 20V 12A SC70-6 | подробности |
 |
SIA413ADJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 12V 12A SC70-6 | подробности |
|
SIA413DJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 12V 12A SC70-6 | подробности |
 |
SIA414DJ | VISHAY | Dual N-Channel 8-V (D-S) MOSFET | подробности |
|
SIA414DJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 8V 12A SC70-6 | подробности |
|
SIA415DJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 20V 12A SC70-6 | подробности |
|
SIA416DJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 11.3A SC70-6L | подробности |
|
SIA417DJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 8V 12A SC70-6 | подробности |
|
SIA418DJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 12A SC70-6 | подробности |
