SI7726DN-T1-GE3 Подробное описание
номер части |
SI7726DN-T1-GE3 |
Статус детали |
Active |
Тип полевого транзистора |
N-Channel |
Технологии |
MOSFET (Metal Oxide) |
Слив к источнику напряжения (Vdss) |
30V |
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C |
35A (Tc) |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) |
4.5V, 10V |
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs |
9.5 mOhm @ 10A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id |
2.6V @ 250µA |
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs |
43nC @ 10V |
Vgs (Макс.) |
±20V |
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds |
1765pF @ 15V |
Функция FET |
- |
Рассеиваемая мощность (макс.) |
3.8W (Ta), 52W (Tc) |
Рабочая Температура |
-50°C ~ 150°C (TJ) |
Тип монтажа |
Surface Mount |
Пакет устройств поставщика |
PowerPAK® 1212-8 |
Упаковка / чехол |
PowerPAK® 1212-8 |
Вес |
- |
Страна происхождения |
- |
СВЯЗАННЫЕ ПРОДУКТЫ ДЛЯ SI7726DN-T1-GE3