SI7726DN-T1-GE3 - Vishay Siliconix

Número de pieza: SI7726DN-T1-GE3
Fabricante: Vishay Siliconix
Breve descripción: MOSFET N-CH 30V 35A 1212-8
Estado sin plomo / Estado RoHS: Sin plomo / Cumple con RoHS
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Categoría: Transistores - FET, MOSFET - Simple
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Código de fecha: New
Cantidad de stock: 386140 pcs
Precio de referencia: USD 0.4264/pcs
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Número de pieza	SI7726DN-T1-GE3
Estado de la pieza	Active
Tipo de FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)	30V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	35A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	9.5 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.6V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	43nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	1765pF @ 15V
Característica FET	-
Disipación de potencia (Máx)	3.8W (Ta), 52W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-50°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor	PowerPAK® 1212-8
Paquete / caja	PowerPAK® 1212-8
Peso	-
País de origen	-

Número de pieza	Fabricantes	Descripción	Ver
SI7720DN-T1-E3	VISHAY	SI7720DN-T1-E3 VISHAY QFN8 New Original Stocks	Detalles
SI7720DN-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 30V 12A 1212-8	Detalles
SI7726DN-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 30V 35A 1212-8	Detalles