SI6473DQ-T1-E3 Подробное описание
| номер части |
SI6473DQ-T1-E3 |
| Статус детали |
Obsolete |
| Тип полевого транзистора |
P-Channel |
| Технологии |
MOSFET (Metal Oxide) |
| Слив к источнику напряжения (Vdss) |
20V |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C |
6.2A (Ta) |
| Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.) |
1.8V, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id |
450mV @ 250µA (Min) |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs |
70nC @ 5V |
| Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds |
- |
| Vgs (Макс.) |
±8V |
| Функция FET |
- |
| Рассеиваемая мощность (макс.) |
1.08W (Ta) |
| Rds On (Макс.) @ Id, Vgs |
12.5 mOhm @ 9.5A, 4.5V |
| Рабочая Температура |
-55°C ~ 150°C (TJ) |
| Тип монтажа |
Surface Mount |
| Пакет устройств поставщика |
8-TSSOP |
| Упаковка / чехол |
8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) |
| Вес |
- |
| Страна происхождения |
- |
СВЯЗАННЫЕ ПРОДУКТЫ ДЛЯ SI6473DQ-T1-E3
