品番 | SI6473DQ-T1-E3 |
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部品ステータス | Obsolete |
FETタイプ | P-Channel |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) | 20V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 6.2A (Ta) |
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) | 1.8V, 4.5V |
Vgs(th)(Max)@ Id | 450mV @ 250µA (Min) |
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs | 70nC @ 5V |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | - |
Vgs(最大) | ±8V |
FET機能 | - |
消費電力(最大) | 1.08W (Ta) |
Rds On(Max)@ Id、Vgs | 12.5 mOhm @ 9.5A, 4.5V |
動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
取付タイプ | Surface Mount |
サプライヤデバイスパッケージ | 8-TSSOP |
パッケージ/ケース | 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) |
重量 | - |
原産国 | - |