SI5997DU-T1-GE3 Подробное описание
номер части |
SI5997DU-T1-GE3 |
Статус детали |
Active |
Тип полевого транзистора |
2 P-Channel (Dual) |
Функция FET |
Logic Level Gate |
Слив к источнику напряжения (Vdss) |
30V |
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C |
6A |
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs |
54 mOhm @ 3A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id |
2.4V @ 250µA |
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs |
14.5nC @ 10V |
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds |
430pF @ 15V |
Мощность - макс. |
10.4W |
Рабочая Температура |
-55°C ~ 150°C (TJ) |
Тип монтажа |
Surface Mount |
Упаковка / чехол |
PowerPAK® ChipFET™ Dual |
Пакет устройств поставщика |
PowerPAK® ChipFet Dual |
Вес |
- |
Страна происхождения |
- |
СВЯЗАННЫЕ ПРОДУКТЫ ДЛЯ SI5997DU-T1-GE3