SI5999EDU-T1-GE3 Подробное описание
| номер части |
SI5999EDU-T1-GE3 |
| Статус детали |
Active |
| Тип полевого транзистора |
2 P-Channel (Dual) |
| Функция FET |
Logic Level Gate |
| Слив к источнику напряжения (Vdss) |
20V |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C |
6A |
| Rds On (Макс.) @ Id, Vgs |
59 mOhm @ 3.5A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id |
1.5V @ 250µA |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs |
20nC @ 10V |
| Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds |
496pF @ 10V |
| Мощность - макс. |
10.4W |
| Рабочая Температура |
-55°C ~ 150°C (TJ) |
| Тип монтажа |
Surface Mount |
| Упаковка / чехол |
PowerPAK® ChipFET™ Dual |
| Пакет устройств поставщика |
PowerPAK® ChipFet Dual |
| Вес |
- |
| Страна происхождения |
- |
СВЯЗАННЫЕ ПРОДУКТЫ ДЛЯ SI5999EDU-T1-GE3
