| номер части | SI5906DU-T1-GE3 |
|---|---|
| Статус детали | Obsolete |
| Тип полевого транзистора | 2 N-Channel (Dual) |
| Функция FET | Logic Level Gate |
| Слив к источнику напряжения (Vdss) | 30V |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 6A |
| Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | 31 mOhm @ 4.8A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 8.6nC @ 10V |
| Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | 300pF @ 15V |
| Мощность - макс. | 10.4W |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Упаковка / чехол | PowerPAK® ChipFET™ Dual |
| Пакет устройств поставщика | PowerPAK® ChipFet Dual |
| Вес | - |
| Страна происхождения | - |
| Образ | номер части | Производители | Описание | Посмотреть |
|---|---|---|---|---|
 |
SI5902BDC | VISHAY | Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET | подробности |
 |
SI5902BDC-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 30V 4A 1206-8 | подробности |
|
SI5902BDC-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 30V 4A 1206-8 | подробности |
|
Si5902DC | VISHAY | Si5902DC VISHAY 1206A-.. New Original Stocks | подробности |
|
SI5902DC-T1 | VISHAY | Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET | подробности |
|
SI5902DC-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 30V 2.9A 1206-8 | подробности |
|
Si5903DC | VISHAY | Dual P-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET | подробности |
|
Si5903DC-T1 | VISHAY | Dual P-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET | подробности |
|
SI5903DC-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2P-CH 20V 2.1A 1206-8 | подробности |
|
SI5903DC-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2P-CH 20V 2.1A 1206-8 | подробности |
