SI5902BDC-T1-GE3 Подробное описание
| номер части |
SI5902BDC-T1-GE3 |
| Статус детали |
Active |
| Тип полевого транзистора |
2 N-Channel (Dual) |
| Функция FET |
Logic Level Gate |
| Слив к источнику напряжения (Vdss) |
30V |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C |
4A |
| Rds On (Макс.) @ Id, Vgs |
65 mOhm @ 3.1A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id |
3V @ 250µA |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs |
7nC @ 10V |
| Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds |
220pF @ 15V |
| Мощность - макс. |
3.12W |
| Рабочая Температура |
-55°C ~ 150°C (TJ) |
| Тип монтажа |
Surface Mount |
| Упаковка / чехол |
8-SMD, Flat Lead |
| Пакет устройств поставщика |
1206-8 ChipFET™ |
| Вес |
- |
| Страна происхождения |
- |
СВЯЗАННЫЕ ПРОДУКТЫ ДЛЯ SI5902BDC-T1-GE3
