| номер части | SI4110DY-T1-GE3 |
|---|---|
| Статус детали | Obsolete |
| Тип полевого транзистора | N-Channel |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Слив к источнику напряжения (Vdss) | 80V |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 17.3A (Tc) |
| Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 53nC @ 10V |
| Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | 2205pF @ 40V |
| Vgs (Макс.) | ±20V |
| Функция FET | - |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 3.6W (Ta), 7.8W (Tc) |
| Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | 13 mOhm @ 11.7A, 10V |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Пакет устройств поставщика | 8-SO |
| Упаковка / чехол | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Вес | - |
| Страна происхождения | - |
| Образ | номер части | Производители | Описание | Посмотреть |
|---|---|---|---|---|
|
SI4110DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 80V 17.3A 8-SOIC | подробности |
 |
Si4112 | EXSHINE | DUAL-BAND RF SYNTHESIZER WITH INTEGRATED VCOS FOR WIRELESS COMMUNICATIONS | подробности |
 |
SI4112-BM | Silicon Labs | IC SYNTHESIZER IF-ONLY 28MLP | подробности |
 |
SI4112-BT | Silicon Labs | IC SYNTHESIZER IF ONLY 24TSSOP | подробности |
 |
SI4112-D-GM | Silicon Labs | IC SYNTHESIZER IF ONLY 28QFN | подробности |
|
SI4112-D-GMR | Silicon Labs | IC SYNTHESIZER IF ONLY 28MLP | подробности |
|
SI4112-D-GT | Silicon Labs | IC SYNTHESIZER IF ONLY 24TSSOP | подробности |
|
SI4112-D-GTR | Silicon Labs | IC SYNTHESIZER IF ONLY 24TSSOP | подробности |
|
SI4112-EVB | Silicon Labs | BOARD EVALUATION FOR SI4112 | подробности |
|
Si4112G-BT* | EXSHINE | DUAL-BAND RF SYNTHESIZER WITH INTEGRATED VCOS FOR GSM AND GPRS WIRELESS COMMUNICATIONS | подробности |
