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SI4110DY-T1-GE3

SI4110DY-T1-GE3 - Vishay Siliconix

부품 번호: SI4110DY-T1-GE3
제조사: Vishay Siliconix
간단한 설명: MOSFET N-CH 80V 17.3A 8-SOIC
무연 여부 / RoHS 준수 여부: 무연 / RoHS 준수
온라인 데이터 시트: SI4110DY-T1-GE3 PDF 온라인 브라우징
데이터 시트 PDF 다운로드: -
범주: 트랜지스터 - FET, MOSFET - 단일
배달 시간: 1 Day
날짜 코드: New
재고 수량: 4057 pcs
참고 가격: USD 0/pcs
우리의 가격: 이메일로 보내기 : [email protected]

SI4110DY-T1-GE3 상세 설명

부품 번호	SI4110DY-T1-GE3
부품 상태	Obsolete
FET 유형	N-Channel
과학 기술	MOSFET (Metal Oxide)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss)	80V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)	17.3A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)	10V
Vgs (th) (최대) @ Id	4V @ 250µA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs	53nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds	2205pF @ 40V
Vgs (최대)	±20V
FET 기능	-
전력 발산 (최대)	3.6W (Ta), 7.8W (Tc)
Rds On (최대) @ Id, Vgs	13 mOhm @ 11.7A, 10V
작동 온도	-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형	Surface Mount
공급 업체 장치 패키지	8-SO
패키지 / 케이스	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
무게	-
원산지	-

관련 제품 SI4110DY-T1-GE3

영상	부품 번호	제조사	기술	전망
	SI4110DY-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 80V 17.3A 8-SOIC	세부
	Si4112	EXSHINE	DUAL-BAND RF SYNTHESIZER WITH INTEGRATED VCOS FOR WIRELESS COMMUNICATIONS	세부
	SI4112-BM	Silicon Labs	IC SYNTHESIZER IF-ONLY 28MLP	세부
	SI4112-BT	Silicon Labs	IC SYNTHESIZER IF ONLY 24TSSOP	세부
	SI4112-D-GM	Silicon Labs	IC SYNTHESIZER IF ONLY 28QFN	세부
	SI4112-D-GMR	Silicon Labs	IC SYNTHESIZER IF ONLY 28MLP	세부
	SI4112-D-GT	Silicon Labs	IC SYNTHESIZER IF ONLY 24TSSOP	세부
	SI4112-D-GTR	Silicon Labs	IC SYNTHESIZER IF ONLY 24TSSOP	세부
	SI4112-EVB	Silicon Labs	BOARD EVALUATION FOR SI4112	세부
	Si4112G-BT*	EXSHINE	DUAL-BAND RF SYNTHESIZER WITH INTEGRATED VCOS FOR GSM AND GPRS WIRELESS COMMUNICATIONS	세부