SI4100DY-T1-E3 - Vishay Siliconix

номер части	SI4100DY-T1-E3
Статус детали	Active
Тип полевого транзистора	N-Channel
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss)	100V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C	6.8A (Tc)
Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.)	6V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	20nC @ 10V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds	600pF @ 50V
Vgs (Макс.)	±20V
Функция FET	-
Рассеиваемая мощность (макс.)	2.5W (Ta), 6W (Tc)
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs	63 mOhm @ 4.4A, 10V
Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	8-SO
Упаковка / чехол	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Вес	-
Страна происхождения	-

номер части	Производители	Описание	Посмотреть
SI410	VISHAY	SI410 VISHAY TSSOP New Original Stocks	подробности
SI4100DY	VISHAY	SI4100DY VISHAY SOP-8 New Original Stocks	подробности
SI4100DY-T1-E3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 100V 6.8A 8-SOIC	подробности
SI4100DY-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 100V 6.8A 8-SOIC	подробности
SI4101DY-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET P-CH 30V 25.7A 8SOIC	подробности
SI4102DY-T1-E3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 100V 3.8A 8-SOIC	подробности
SI4102DY-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 100V 3.8A 8-SOIC	подробности
SI4103DY-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET P-CHAN 30V SO-8	подробности
SI4104DY-T1-E3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 100V 4.6A 8-SOIC	подробности
SI4104DY-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 100V 4.6A 8-SOIC	подробности