| номер части | SI4100DY-T1-E3 |
|---|---|
| Статус детали | Active |
| Тип полевого транзистора | N-Channel |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Слив к источнику напряжения (Vdss) | 100V |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 6.8A (Tc) |
| Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.) | 6V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 20nC @ 10V |
| Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | 600pF @ 50V |
| Vgs (Макс.) | ±20V |
| Функция FET | - |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 2.5W (Ta), 6W (Tc) |
| Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | 63 mOhm @ 4.4A, 10V |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Пакет устройств поставщика | 8-SO |
| Упаковка / чехол | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Вес | - |
| Страна происхождения | - |
| Образ | номер части | Производители | Описание | Посмотреть |
|---|---|---|---|---|
 |
SI410 | VISHAY | SI410 VISHAY TSSOP New Original Stocks | подробности |
|
SI4100DY | VISHAY | SI4100DY VISHAY SOP-8 New Original Stocks | подробности |
|
SI4100DY-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 6.8A 8-SOIC | подробности |
|
SI4100DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 6.8A 8-SOIC | подробности |
|
SI4101DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 30V 25.7A 8SOIC | подробности |
|
SI4102DY-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 3.8A 8-SOIC | подробности |
|
SI4102DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 3.8A 8-SOIC | подробности |
|
SI4103DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CHAN 30V SO-8 | подробности |
|
SI4104DY-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 4.6A 8-SOIC | подробности |
|
SI4104DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 4.6A 8-SOIC | подробности |
