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Casa › Categorie di Prodotto › Dispositivi a semiconduttore discreti › Transistor - FET, MOSFET - Singoli › SI4100DY-T1-E3
SI4100DY-T1-E3

SI4100DY-T1-E3 - Vishay Siliconix

Numero di parte
SI4100DY-T1-E3
fabbricante
Vishay Siliconix
Breve descrizione
MOSFET N-CH 100V 6.8A 8-SOIC
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Vista online della scheda tecnica
SI4100DY-T1-E3 Navigazione online PDF
Scarica il PDF della scheda tecnica
-
Categoria
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
Tempo di consegna
1 Day
Codice data
New
Quantità di stock
46488 pcs
Prezzo di riferimento
USD 0.5852/pcs
Il nostro prezzo
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SI4100DY-T1-E3 Descrizione dettagliata

Numero di parte SI4100DY-T1-E3
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 6.8A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 6V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 600pF @ 50V
Vgs (massimo) ±20V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 2.5W (Ta), 6W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 63 mOhm @ 4.4A, 10V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore 8-SO
Pacchetto / caso 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Peso -
Paese d'origine -

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