SI3475DV-T1-GE3 Подробное описание
номер части |
SI3475DV-T1-GE3 |
Статус детали |
Obsolete |
Тип полевого транзистора |
P-Channel |
Технологии |
MOSFET (Metal Oxide) |
Слив к источнику напряжения (Vdss) |
200V |
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C |
950mA (Tc) |
Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.) |
6V, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id |
4V @ 250µA |
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs |
18nC @ 10V |
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds |
500pF @ 50V |
Vgs (Макс.) |
±20V |
Функция FET |
- |
Рассеиваемая мощность (макс.) |
2W (Ta), 3.2W (Tc) |
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs |
1.61 Ohm @ 900mA, 10V |
Рабочая Температура |
-55°C ~ 150°C (TJ) |
Тип монтажа |
Surface Mount |
Пакет устройств поставщика |
6-TSOP |
Упаковка / чехол |
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
Вес |
- |
Страна происхождения |
- |
СВЯЗАННЫЕ ПРОДУКТЫ ДЛЯ SI3475DV-T1-GE3