| номер части | SE40PB-M3/87A |
|---|---|
| Статус детали | Active |
| Тип диода | Standard |
| Напряжение - Реверс постоянного тока (Vr) (макс.) | 100V |
| Текущий - средний отрегулированный (Io) | 2.4A (DC) |
| Напряжение - Вперед (Vf) (Макс.) @ Если | 1.05V @ 4A |
| скорость | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Время обратного восстановления (trr) | 2.2µs |
| Текущий - обратный утечек @ Vr | 10µA @ 100V |
| Емкость @ Vr, F | 28pF @ 4V, 1MHz |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Упаковка / чехол | TO-277, 3-PowerDFN |
| Пакет устройств поставщика | TO-277A (SMPC) |
| Рабочая температура - Соединение | -55°C ~ 175°C |
| Вес | - |
| Страна происхождения | - |
| Образ | номер части | Производители | Описание | Посмотреть |
|---|---|---|---|---|
|
SE40PB-M3/86A | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 100V 2.4A TO277A | подробности |
|
SE40PB-M3/87A | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 100V 2.4A TO277A | подробности |
|
SE40PBHM3/86A | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 100V 2.4A TO277A | подробности |
|
SE40PBHM3/87A | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 100V 2.4A TO277A | подробности |
|
SE40PBHM3_A/H | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 100V 2.4A TO277A | подробности |
|
SE40PBHM3_A/I | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 100V 2.4A TO277A | подробности |
|
SE40PD-M3/86A | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 200V 2.4A TO277A | подробности |
|
SE40PD-M3/87A | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 200V 2.4A TO277A | подробности |
|
SE40PDHM3/86A | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 200V 2.4A TO277A | подробности |
|
SE40PDHM3/87A | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 200V 2.4A TO277A | подробности |
