| Artikelnummer | SE40PB-M3/87A |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| Dioden-Typ | Standard |
| Spannung - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
| Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) | 2.4A (DC) |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.05V @ 4A |
| Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Reverse Wiederherstellungszeit (trr) | 2.2µs |
| Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 10µA @ 100V |
| Kapazität @ Vr, F | 28pF @ 4V, 1MHz |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Paket / Fall | TO-277, 3-PowerDFN |
| Lieferantengerätepaket | TO-277A (SMPC) |
| Betriebstemperatur - Kreuzung | -55°C ~ 175°C |
| Gewicht | - |
| Ursprungsland | - |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Aussicht |
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SE40PB-M3/86A | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 100V 2.4A TO277A | Einzelheiten |
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SE40PB-M3/87A | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 100V 2.4A TO277A | Einzelheiten |
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SE40PBHM3/86A | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 100V 2.4A TO277A | Einzelheiten |
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SE40PBHM3/87A | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 100V 2.4A TO277A | Einzelheiten |
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SE40PBHM3_A/H | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 100V 2.4A TO277A | Einzelheiten |
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SE40PBHM3_A/I | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 100V 2.4A TO277A | Einzelheiten |
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SE40PD-M3/86A | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 200V 2.4A TO277A | Einzelheiten |
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SE40PD-M3/87A | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 200V 2.4A TO277A | Einzelheiten |
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SE40PDHM3/86A | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 200V 2.4A TO277A | Einzelheiten |
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SE40PDHM3/87A | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 200V 2.4A TO277A | Einzelheiten |
