| номер части | S1GHE3_A/H |
|---|---|
| Статус детали | Active |
| Тип диода | Standard |
| Напряжение - Реверс постоянного тока (Vr) (макс.) | 400V |
| Текущий - средний отрегулированный (Io) | 1A |
| Напряжение - Вперед (Vf) (Макс.) @ Если | 1.1V @ 1A |
| скорость | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Время обратного восстановления (trr) | 1.8µs |
| Текущий - обратный утечек @ Vr | 1µA @ 400V |
| Емкость @ Vr, F | 12pF @ 4V, 1MHz |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Упаковка / чехол | DO-214AC, SMA |
| Пакет устройств поставщика | DO-214AC (SMA) |
| Рабочая температура - Соединение | -55°C ~ 150°C |
| Вес | - |
| Страна происхождения | - |
| Образ | номер части | Производители | Описание | Посмотреть |
|---|---|---|---|---|
 |
S1GHE | Fairchild/ON Semiconductor | DIODE GEN PURP 400V 1A SOD323HE | подробности |
|
S1GHE3/5AT | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC | подробности |
|
S1GHE3/61T | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC | подробности |
|
S1GHE3_A/H | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC | подробности |
|
S1GHE3_A/I | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC | подробности |
 |
S1GHM2G | Taiwan Semiconductor Corporation | DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC | подробности |
 |
S1GHM3/61T | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC | подробности |
|
S1GHR3G | Taiwan Semiconductor Corporation | DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC | подробности |
