S1GHE3_A/H - Vishay Semiconductor Diodes Division

Numéro d'article	S1GHE3_A/H
État de la pièce	Active
Type de diode	Standard
Tension - DC Reverse (Vr) (Max)	400V
Courant - Rectifié moyen (Io)	1A
Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si	1.1V @ 1A
La vitesse	Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Temps de récupération inverse (trr)	1.8µs
Courant - Fuite inverse @ Vr	1µA @ 400V
Capacitance @ Vr, F	12pF @ 4V, 1MHz
Type de montage	Surface Mount
Paquet / cas	DO-214AC, SMA
Package de périphérique fournisseur	DO-214AC (SMA)
Température de fonctionnement - Jonction	-55°C ~ 150°C
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
S1GHE	Fairchild/ON Semiconductor	DIODE GEN PURP 400V 1A SOD323HE	Détails
S1GHE3/5AT	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC	Détails
S1GHE3/61T	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC	Détails
S1GHE3_A/H	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC	Détails
S1GHE3_A/I	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC	Détails
S1GHM2G	Taiwan Semiconductor Corporation	DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC	Détails
S1GHM3/61T	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC	Détails
S1GHR3G	Taiwan Semiconductor Corporation	DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC	Détails