| номер части | GBUE2560-M3/P |
|---|---|
| Статус детали | Active |
| Тип диода | Single Phase |
| Технологии | Standard |
| Напряжение - Реверс пика (макс.) | 600V |
| Текущий - средний отрегулированный (Io) | 4.9A |
| Напряжение - Вперед (Vf) (Макс.) @ Если | 920mV @ 12.5A |
| Текущий - обратный утечек @ Vr | 10µA @ 600V |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Упаковка / чехол | 4-SIP, GBU |
| Пакет устройств поставщика | GBU |
| Вес | - |
| Страна происхождения | - |
| Образ | номер части | Производители | Описание | Посмотреть |
|---|---|---|---|---|
|
GBUE2560-M3/P | Vishay Semiconductor Diodes Division | BRIDGE RECT 1PHASE 600V 4.9A GBU | подробности |
