GBUE2560-M3/P - Vishay Semiconductor Diodes Division

Numéro d'article	GBUE2560-M3/P
État de la pièce	Active
Type de diode	Single Phase
La technologie	Standard
Tension - Peak Reverse (Max)	600V
Courant - Rectifié moyen (Io)	4.9A
Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si	920mV @ 12.5A
Courant - Fuite inverse @ Vr	10µA @ 600V
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage	Through Hole
Paquet / cas	4-SIP, GBU
Package de périphérique fournisseur	GBU
Poids	-
Pays d'origine	-

Image	Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
	GBUE2560-M3/P	Vishay Semiconductor Diodes Division	BRIDGE RECT 1PHASE 600V 4.9A GBU	Détails