GB35XF120K - Vishay Semiconductor Diodes Division

номер части	GB35XF120K
Статус детали	Obsolete
Тип IGBT	NPT
конфигурация	Three Phase Inverter
Напряжение - Разрыв эмиттера коллектора (макс.)	1200V
Ток - коллектор (Ic) (макс.)	50A
Мощность - макс.	284W
Vce (вкл.) (Макс.) @ Vge, Ic	3V @ 15V, 50A
Ток - отсечка коллектора (макс.)	100µA
Входная емкость (Cies) @ Vce	3.475nF @ 30V
вход	Standard
Термистор NTC	No
Рабочая Температура	150°C (TJ)
Тип монтажа	Chassis Mount
Упаковка / чехол	ECONO2
Пакет устройств поставщика	-
Вес	-
Страна происхождения	-

Образ	номер части	Производители	Описание	Посмотреть
	GB35XF120K	Vishay Semiconductor Diodes Division	MODULE IGBT 1200V 35A ECONO2 6PK	подробности